功率半导体器件和用于生产功率半导体器件的方法

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摘要

本发明涉及一种功率半导体器件，该功率半导体器件包含衬底（12），该衬底具有第一侧（14）和第二侧（16），第一侧（14）和第二侧（16）定位成与彼此相对，其中，第一侧（14）包含阴极（18），且其中，第二侧（14）包含阳极（20），其中，p/n‑结的结端提供在衬底的至少一个表面处，优选地，提供在第一侧（14）和第二侧中的至少一个处，其特征在于，结端被钝化涂层（26）涂覆，钝化涂层（26）包含从由无机‑有机复合材料、聚对二甲苯以及包含聚合物颗粒的酚醛树脂组成的组选择的至少一个材料。如上所述的器件（10）因而解决结端的钝化的问题，且因而防止或至少降低重大缺陷（诸如，由膜性质的变化、不稳定性、渗水性、可移动的离子（诸如，钠）的渗透性、针孔和裂纹以及由于退化和应力而导致的铝金属断开或腐蚀所引起的不稳定的器件运行）的危害

基本信息

专利标题：

功率半导体器件和用于生产功率半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108475665A

申请号：

CN201680078059.X

公开（公告）日：

2018-08-31

申请日：

2016-10-20

授权号：

CN108475665B

授权日：

2022-05-27

发明人：

L.董策尔J.舒德雷尔J.多布青斯卡J.沃贝基

申请人：

ABB瑞士股份有限公司

申请人地址：

瑞士巴登

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

李啸

优先权：

CN201680078059.X

主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L23/31 H01L29/06