功率MOS半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种功率MOS半导体器件，包括：位于环氧封装体中的MOSFET芯片、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚，陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上；所述源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；所述陶瓷导热本体与MOSFET芯片相背的侧表面从环氧封装体内延伸出，此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。本实用新型降既增加了和热交换的面积，也便于热量扩散，充分发挥了功率MOS大功率的优势。
基本信息
专利标题 ：
功率MOS半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021721988.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN212517177U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
张开航马云洋
申请人 ：
苏州秦绿电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202021721988.8
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373 H01L23/367 H01L23/49 H01L23/31 H01L25/07
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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