半导体功率器件

授权

摘要

本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括位于n型漂移区顶部的至少一个p型体区，位于所述p型体区内的第一n型源区和第二n型源区；用于控制所述第一n型源区与所述n型漂移区之间的第一电流沟道的开启和关断的第一栅极结构；用于控制所述第二n型源区与所述n型漂移区之间的第二电流沟道的开启和关断的第二栅极结构，所述第二栅极结构凹陷在所述n型漂移区内。本发明实施例的半导体功率器件芯片尺寸小且具有快的反向恢复速度。

基本信息

专利标题：

半导体功率器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112864222A

申请号：

CN201911184108.X

公开（公告）日：

2021-05-28

申请日：

2019-11-27

授权号：

CN112864222B

授权日：

2022-04-12

发明人：

龚轶毛振东刘伟刘磊袁愿林

申请人：

苏州东微半导体股份有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406

代理机构：

北京品源专利代理有限公司

代理人：

孟金喆

优先权：

CN201911184108.X

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06