功率半导体器件
公开
摘要
本申请公开了功率半导体器件，其包括碳化硅(SiC)半导体层；设置在半导体层中的多个阱区，多个阱区彼此间隔开且具有第二导电类型；分别设置在多个阱区上的半导体层中的多个源极区，其彼此间隔开；具有第一导电类型；以及设置在半导体层中的漂移区，漂移区从多个阱区的下侧穿过多个阱区之间延伸至半导体层的表面；多个沟槽；栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极层。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628520A
申请号 ：
CN202111491168.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金信儿金台烨河定穆禹赫
申请人 ：
现代摩比斯株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘瑞贤
优先权 ：
CN202111491168.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
