功率半导体器件

授权

摘要

本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种新型结构功率半导体器件。功率半导体器件包括由下至上依次层叠的背面金属层、衬底、外延层和正面结构，所述背面金属层通过设置于所述衬底内的金属与所述外延层连接。本申请中的功率半导体器件在制备过程中不需对衬底进行减薄，而是采用引线孔技术，将背面电极引出。在不影响焊接工艺和功率半导体器件电性的基础上，取缔了减薄工艺，保留了衬底作为支撑，避免了减薄过程以及后续薄片制作工艺上造成的碎片风险，节约了成本。

基本信息

专利标题：

功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921347175.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-16

授权号：

CN210429826U

授权日：

2020-04-28

发明人：

郭依腾史波

申请人：

珠海格力电器股份有限公司

申请人地址：

广东省珠海市前山金鸡西路

代理机构：

北京华夏泰和知识产权代理有限公司

代理人：

韩来兵

优先权：

CN201921347175.4

主分类号：

H01L29/45

IPC分类号：

H01L29/45 H01L21/28