功率半导体器件
授权
摘要
本申请公开一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一类型掺杂的衬底；位于所述衬底内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区内的两个第一类型掺杂区，所述第一类型掺杂区至所述体区边缘的沟道长度相同；位于相邻体区之间的衬底上的栅极结构。上述功率半导体器件的阈值电压一致性和均匀性更好。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021434739.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-20
授权号 ：
CN212461702U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
晋虎
申请人 ：
嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区亚太路705号创新大厦A座1613室
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
王敏生
优先权 ：
CN202021434739.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
