功率半导体器件

授权

摘要

本实用新型公开一种功率半导体器件，其中，该功率半导体器件包括：第一基板，具有第一导电面；第一桥臂芯片，第一桥臂芯片具有正面和背面，以及形成在正面的发射极，第一桥臂芯片的正面贴设于第一基板的第一导电面，且第一桥臂芯片的发射极与第一基板的第一导电面电连接；第二桥臂芯片，第二桥臂芯片具有正面和背面，以及形成在背面的集电极，第二桥臂芯片的背面贴设于第一基板的第一导电面，且第二桥臂芯片的集电极与第一基板的第一导电面电连接。本实用新型应用于具有半桥/全桥拓扑的功率半导体器件封装，通过减少材料、降低功率半导体器件的封装尺寸，从而提高功率半导体器件的功率密度。

基本信息

专利标题：

功率半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021231063.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-29

授权号：

CN212113715U

授权日：

2020-12-08

发明人：

宋辉张太之曹玉昭唐曙华时尚起严波邵兆军

申请人：

苏州汇川联合动力系统有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市吴中区越溪天鹅荡路52号

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所

代理人：

魏润洁

优先权：

CN202021231063.5

主分类号：

H01L23/52

IPC分类号：

H01L23/52 H01L25/07 H01L29/739