半导体功率器件
授权
摘要
本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括封装在同一个封装体内的超级结MOSFET功率器件芯片和IGBT功率器件芯片，其中：所述超级结MOSFET功率器件芯片的漏极与所述IGBT功率器件芯片的集电极均电性连接所述封装体的集电极引脚；所述超级结MOSFET功率器件芯片的源极和栅极、以及所述IGBT功率器件芯片的发射极均电性连接所述封装体的发射极引脚；所述IGBT功率器件芯片的栅极电性连接所述封装体的栅极引脚。本实用新型可以降低IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗。
基本信息
专利标题 ：
半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122841877.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
CN216250731U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
龚轶刘磊刘伟袁愿林
申请人 ：
苏州东微半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
马迪
优先权 ：
CN202122841877.1
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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