功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法
实质审查的生效
摘要
说明了一种功率半导体器件（1），具有‑布置在壳体（4）内的功率半导体元件（2），其中散热器（6）暴露在所述壳体（4）的第一表面（5）上；‑具有第一主表面（12）和第二主表面（14）的布线衬底（10），所述布线衬底容纳具有所述功率半导体元件（2）的壳体（4），其中具有增加的导热性的冷却区域（16）布置在所述第二主表面（14）上；其中所述壳体（4）布置在所述布线衬底（10）上，使得所述散热器（6）经由焊料层（2）连接到所述冷却区域（16），其中布置在所述散热器（6）与所述冷却区域（16）之间的一定数量的间隔保持器（28）嵌入在所述焊料层（20）中。还说明了一种用于制造功率半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114450783A
申请号 ：
CN202080070875.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·奎斯特-马特D·巴贡D·沃尔夫
申请人 ：
纬湃科技有限责任公司
申请人地址 ：
德国汉诺威
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张涛
优先权 ：
CN202080070875.2
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/495 H01L21/50 H05K1/02 H05K3/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20201006
申请日 : 20201006
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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