功率半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且多个第二电阻场板结构在第一平面内呈放射状设置，从靠近元胞区的一侧延伸至远离元胞区的一侧，多个紧耦合的第二电阻场板结构形成一个向四周发散的更均匀的三维电场分布，优化了对元胞区空间耗尽区电荷的引导束缚效果，提高了整个功率半导体器件的耐压性能；终端区的第二电阻场板结构与元胞区的第一电阻场板结构均为第二代基于体内电阻场板的超结技术，工艺兼容，制造成本低，且工艺难度低；采用基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335164A
申请号 ：
CN202210048779.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谭开洲肖添张嘉浩杨永晖蒋和全李儒章张培健钟怡王鹏王育新付晓君唐昭焕
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请人地址 ：
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张双凤
优先权 ：
CN202210048779.9
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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