半导体器件的制造方法、半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供通过简单的方法，可以确实填充导体，形成贯穿电极的半导体器件的制造方法。本发明半导体器件的制造方法具备在基板表面侧安装第1支承体的状态下，从基板背面侧对其减薄；从基板上去除第1支承体，与此同时，在基板背面侧安装具有开口部的第2支承体；在安装第2支承体前或安装之后，在基板上形成与第2支承体开口部相连的贯穿孔；在贯穿孔的内部形成绝缘膜；向基板贯穿孔的内部填充导体的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120438A
申请号 ：
CN200680005288.5
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中岛裕明
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200680005288.5
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L23/52 H01L25/065 H01L25/07 H01L25/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2013-12-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101680451241
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800052885
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 夏普株式会社
变更后权利人 : 因文萨斯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20131128
号牌文件序号 : 101680451241
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2006800052885
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 夏普株式会社
变更后权利人 : 因文萨斯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20131128
2010-05-26 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN101120438A.PDF
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