半导体器件以及制造半导体器件的方法
公开
摘要
一种半导体器件，包括半导体衬底、第一及第二氮化物半导体层、源极/漏极电极、栅极电极以及第一钝化层。第一氮化物半导体层配置在半导体衬底的上方。第二氮化物半导体层配置在第一氮化物半导体层上，且第二氮化物半导体层的能带隙大于第一氮化物半导体层的能带隙，以形成二维电子气区域。源极/漏极配置在第二氮化物半导体层的上方。栅极电极配置在源极/漏极电极之间。第一钝化层配置在第二氮化物半导体层的上方。第一、第二氮化物半导体层以及第一钝化层的边缘共同在半导体衬底上方形成阶梯状侧壁。阶梯状侧壁包括至少一横向延伸部以及连接横向延伸部的至少两个上升部。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586175A
申请号 ：
CN202080003857.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张玉龙欧阳爵黄巍游政昇
申请人 ：
英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖高新区芦莘大道1066号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202080003857.2
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/78
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
