半导体器件和制造半导体器件的方法
授权
摘要
一种方法包括提供一种结构，该结构具有位于衬底上方并且总体沿第一方向纵向定向的第一和第二鳍，以及位于第一和第二鳍上方的源极/漏极(S/D)部件；形成覆盖S/D部件的层间介电(ILD)层；至少对S/D部件之间的区域实施第一蚀刻工艺，从而在ILD层中形成沟槽；在沟槽中沉积介电材料；实施第二蚀刻工艺以选择性地使介电材料凹进；并且实施第三蚀刻工艺以选择性地使ILD层凹进，从而形成暴露S/D部件的接触孔。本发明还涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110875252A
申请号 ：
CN201910815947.0
公开（公告）日 ：
2020-03-10
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN110875252B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
吴以雯李振铭杨复凯王美匀张长昀傅劲逢王鹏
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201910815947.0
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-04-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20190830
申请日 : 20190830
2020-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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