半导体器件制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的目标是提供包含具有优选形状的布线的半导体器件。在制造方法中，包含步骤：形成连接到元件的第一导电层并在该导电层上形成第二导电层；在该第二导电层上形成抗蚀剂掩模；使用该掩模进行干法蚀刻处理该第二导电层；并使用剩下的掩模进行湿法蚀刻来处理该第一导电层，其中在该干法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率高于第一导电层的蚀刻速率，且其中在该湿法蚀刻中，第二导电层的蚀刻速率等于或高于第一导电层的蚀刻速率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101694836A
申请号 ：
CN200910211867.0
公开（公告）日 ：
2010-04-14
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冈本悟藤井照幸大沼英人石塚章广
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
汤春龙
优先权 ：
CN200910211867.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/52
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2018-11-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20121031
终止日期 : 20171129
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20121031
终止日期 : 20171129
2012-10-31 ：
授权
2010-05-26 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101002366789
专利申请号 : 2009102118670
申请日 : 20051129
IPC(主分类) : H01L 21/768
号牌文件序号 : 101002366789
专利申请号 : 2009102118670
申请日 : 20051129
IPC(主分类) : H01L 21/768
2010-04-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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