半导体器件制造方法
专利权的终止
摘要
一种用于制造具有无边界通路/布线结构的半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：使用抗蚀剂掩模进行无边界通路蚀刻，以在半导体衬底上的层间介电层中形成接触孔，从而在该接触孔中暴露下层图案的两种不同金属材料；以及当去除抗蚀剂掩模时，在湿法工艺之前使用含H2O的气体进行等离子体辐射。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1956164A
申请号 ：
CN200610019888.9
公开（公告）日 ：
2007-05-02
申请日 ：
2006-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西田直树
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610019888.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2021-02-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20200301
申请日 : 20060301
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20200301
2010-11-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039208282
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100198889
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
号牌文件序号 : 101039208282
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100198889
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2010-11-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039208281
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100198889
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
号牌文件序号 : 101039208281
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100198889
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2008-12-24 ：
授权
2007-06-27 ：
实质审查的生效
2007-05-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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