半导体器件制造方法
专利权的终止
摘要
用于制造具有布线层的半导体器件的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成绝缘层，在所述的绝缘层提供开口，露在所述绝缘层底层表面的一部分；在所述的绝缘层之上形成在随后的热处理步骤中不产生Si沉淀的第一导电层，对所述的第一导电层进行适当时间的热处理，使所述的开口充满所述第一导电层的物质。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1068444A
申请号 ：
CN92105500.5
公开（公告）日 ：
1993-01-27
申请日 ：
1992-07-07
授权号 ：
CN1031436C
授权日 ：
1996-03-27
发明人 ：
李相忍洪正仁朴钟浩
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
南朝鲜京畿道小原市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN92105500.5
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/90 H01L23/52
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2012-09-05 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101322516764
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL921055005
申请日 : 19920707
授权公告日 : 19960327
期满终止日期 : 20120707
号牌文件序号 : 101322516764
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL921055005
申请日 : 19920707
授权公告日 : 19960327
期满终止日期 : 20120707
2002-06-12 ：
其他有关事项
1996-03-27 ：
授权
1994-10-19 ：
实质审查请求的生效
1993-01-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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