半导体器件和制造半导体器件的方法

授权

摘要

本发明提供了一种廉价且能够抑制信号传输延迟的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个半导体芯片；半导体衬底，在其同一表面上具有用于把所述多个半导体芯片彼此电连接的芯片到芯片互连以及连接到所述芯片到芯片互连的多个芯片连接焊盘；以及布线板，具有多个焊接区，所述焊接区的间距大于所述芯片连接焊盘的间距，其中所述多个半导体芯片的每个的主表面通过第一连接器连接到所述芯片连接焊盘，以便把所述多个半导体芯片安装在半导体衬底上，且在所述主表面上除面对所述半导体衬底的区域之外形成外部连接焊盘并通过第二连接器将其连接到所述布线板上的所述焊接区。

基本信息

专利标题：

半导体器件和制造半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1835229A

申请号：

CN200610059208.6

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-03-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

波多野正喜高冈裕二

申请人：

索尼株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610059208.6

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L23/48 H01L23/52 H01L21/60