制造半导体器件的方法和半导体器件
实质审查的生效
摘要
根据本发明的方面，在制造半导体器件的方法中，形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的鳍结构。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构上方形成第一覆盖层并且在第一覆盖层上方形成第二覆盖层。形成源极/漏极外延层。在形成源极/漏极外延层之后，去除第二覆盖层，从而在源极/漏极外延层和第一覆盖层之间形成间隙，从间隙暴露鳍结构的一部分。去除间隙中的第一半导体层的一部分，从而在第二半导体层之间形成间隔。用第一绝缘材料填充间隔。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的方法和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464535A
申请号 ：
CN202210065994.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2017-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江国诚王志豪蔡庆威程冠伦
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210065994.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20171110
申请日 : 20171110
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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