半导体器件制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明的半导体器件制造方法包括如下步骤：在半导体衬底34上形成栅电极54p；在栅电极54p两侧的半导体衬底34中形成源极/漏极扩散层64p；在源极/漏极扩散层64p中埋入硅锗层100b；在硅锗层100b的上部形成非晶层101；在非晶层101上形成镍膜66；以及进行热处理以使镍膜66与非晶层101互相反应从而在硅锗层100b上形成硅化物膜102b。由于在与镍膜66反应的非晶层101中没有晶界，因此硅化均匀进行。由于非晶层101中没有晶面，从而可防止形成尖峰状的Ni(Si1－xGex) 2晶体。因此，即便当通过使用薄镍膜66硅化硅锗层100b时，也可以具有低薄层电阻，并且可以抑制结漏电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881548A
申请号 ：
CN200510107112.8
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川村和郎岛宗洋介
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑小军
优先权 ：
CN200510107112.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/3205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2020-08-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/336
登记生效日 : 20200730
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横浜市
变更后权利人 : 日本神奈川县
登记生效日 : 20200730
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横浜市
变更后权利人 : 日本神奈川县
2010-11-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039209800
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101071128
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
号牌文件序号 : 101039209800
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101071128
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2010-11-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101039209599
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101071128
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
号牌文件序号 : 101039209599
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101071128
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2008-12-24 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081121
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081121
2008-12-10 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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