半导体器件制造方法以及半导体器件

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种半导体器件制造方法，其包括以下步骤：制备晶片，在该晶片的主面上形成有多个集成电路；形成经由焊盘电极电连接到所述集成电路的再布线；以及，在所述再布线上形成电极端子之后，切划所述晶片，包括以下步骤：通过用第一树脂至少密封形成在所述晶片的主面上的所述再布线和所述电极端子来形成第一树脂层；在形成所述第一树脂层时，从所述晶片的背面到所述晶片的主面或者到所述第一树脂层的中间位置处进行第一划片；通过用第二树脂连续地密封在所述第一划片时形成轮廓的切割线以及所述晶片的背面来形成第二树脂层；以及，进行第二划片，同时保留覆盖所述第一划片时形成轮廓的侧面的第二树脂层。

基本信息

专利标题：

半导体器件制造方法以及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1835196A

申请号：

CN200610071837.0

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-03-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

中村猛利齐藤博

申请人：

雅马哈株式会社

申请人地址：

日本静冈县

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610071837.0

主分类号：

H01L21/56

IPC分类号：

H01L21/56 H01L23/28