半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

提供一种半导体器件及其制造方法。在粘接带(2)上配置至少一个半导体元件和多个外部连接用端子用导电部件(6)，电连接半导体元件的电极和导电部件(6)。在粘接带(2)上通过密封树脂(12)密封半导体元件和导电部件(6)，从半导体器件剥离粘接带(2)。导电部件(6)是分别形成的颗粒状的导电部件，从密封树脂(12)露出，作为外部连接用端子(安装用端子)发挥功能。即便半导体元件的种类不同，也可以不用专用的部件，而通过变更导电部件(6)的配置来制造不同的半导体装置。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101310379A

申请号：

CN200580052089.5

公开（公告）日：

2008-11-19

申请日：

2005-11-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

埜本隆司爱场喜孝

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

岳耀锋

优先权：

CN200580052089.5

主分类号：

H01L23/12

IPC分类号：

H01L23/12 H01L21/56