半导体器件的制造方法以及半导体器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848407A
申请号 ：
CN200610073921.6
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
坂田敦子和田纯一尾本诚一羽多野正亮山下创一东和幸中村直文山田雅基木下和哉坚田富夫莲沼正彦
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
李峥
优先权 ：
CN200610073921.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/28 H01L21/3205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-01-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/768
登记生效日 : 20220105
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东芝存储器株式会社
变更后权利人 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20220105
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东芝存储器株式会社
变更后权利人 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2022-01-14 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/768
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更后 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更后 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
2022-01-14 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/768
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东芝存储器株式会社
变更后 : 铠侠股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东芝存储器株式会社
变更后 : 铠侠股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
2017-08-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101757963843
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100739216
登记生效日 : 20170808
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
号牌文件序号 : 101757963843
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100739216
登记生效日 : 20170808
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
2009-04-08 ：
授权
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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