半导体器件制造方法

专利权的终止

摘要

一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。由于将电子束等通过更致密的第二绝缘膜40施加至该第一多孔绝缘膜38，从而能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。由于能够保持该第一多孔绝缘膜38不被损坏，因而能够防止吸水性和密度增加，进而能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。

基本信息

专利标题：

半导体器件制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1787187A

申请号：

CN200510126871.9

公开（公告）日：

2006-06-14

申请日：

2005-11-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

中田义弘尾崎史朗矢野映

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

郑小军

优先权：

CN200510126871.9

主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

H01L21/31 H01L21/768