半导体器件制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
在构成器件的一部分的底层结构1的表面1a上构成其顶壁2a和侧壁2b相交成边缘20的隔开的区域2。在1a和2上形成绝缘材料层3，结果，在2的边缘20上优先形成该绝缘材料，从而在边缘20附近形成悬垂在表面1a上的底层绝缘材料之上的绝缘材料部分31。然后，各向异性地腐蚀层3，以露出2a。在该腐蚀过程中，悬垂部分31起初将表面1a上的底层绝缘材料遮掩，以致后者的腐蚀受控于前者的腐蚀进程，而当2a露出时在2b上保留缓慢倾斜的绝缘材料隔离层30。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1039151A
申请号 ：
CN89104526.0
公开（公告）日 ：
1990-01-24
申请日 ：
1989-06-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约瑟夫斯·马丁纳斯·弗朗西斯卡斯·杰拉达斯·范拉霍芬威廉马斯·弗朗西斯卡斯·玛丽·古特善迈克尔·弗里德里克·布鲁诺·贝勒森董仲之
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何耀煌
优先权 ：
CN89104526.0
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/60 H01L23/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
1993-02-10 ：
专利申请的视为撤回
1991-09-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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