半导体器件及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种半导体器件，它具有无任何多余面积的所需的最小元件构成的很少的功能元件。因此，能明显地减小所占面积，并具有第一导电型（例如Ｐ阱）的第一半导体区，和形成在第一半导体区上或下的，具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区（例如源区或漏区），其中形成电气连接到第一半导体区的电极，通过第二半导体区，上述电极使第一半导体区与第二半导体区短路。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057736A
申请号 ：
CN91104371.3
公开（公告）日 ：
1992-01-08
申请日 ：
1991-05-31
授权号 ：
CN1052343C
授权日 ：
2000-05-10
发明人 ：
大図逸男光地哲伸
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN91104371.3
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772 H01L21/283
相关图片
法律状态
2006-08-09 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
2000-05-10 ：
授权
1992-01-08 ：
公开
1991-12-18 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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