制造半导体器件的方法和半导体器件

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摘要

制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层，以及在第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层。在第二半导体层上方形成具有第一组成的另一第一半导体层。在另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层。图案化第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层以形成鳍结构。去除第三半导体层的部分，从而形成包括第二半导体层的纳米线，并且形成围绕纳米线导电材料。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层包括不同的材料。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

基本信息

专利标题：

制造半导体器件的方法和半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109585555A

申请号：

CN201810911580.8

公开（公告）日：

2019-04-05

申请日：

2018-08-10

授权号：

CN109585555B

授权日：

2022-05-03

发明人：

余绍铭李东颖云惟胜杨富祥

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201810911580.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336