半导体器件以及制造半导体器件的方法
授权
摘要
一种半导体器件，包括半导体主体，其包含具有第一晶向的半导体材料。第一晶体管在具有第一晶向的半导体材料中形成。绝缘层覆盖半导体主体的部分并且半导体层覆盖绝缘层。该半导体层具有第二晶向。第二晶体管在具有第二晶向的半导体层中形成。在优选实施方案中，半导体主体是(100)硅，第一晶体管是NMOS晶体管，半导体层是(110)硅并且第二晶体管是PMOS晶体管。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848431A
申请号 ：
CN200610002411.X
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋均镛阎江丹尼·P－C.·舒姆阿洛艾斯·古特曼
申请人 ：
国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200610002411.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-04-15 ：
授权
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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