半导体器件制造方法及半导体器件

专利权的终止

摘要

具有衬底和硅半导体本体(2)的半导体器件(10)，包括场效应管，在沟道区(5)位置处的第一表面上形成第一栅极电介质(6A)，并且在第一表面上形成第一栅极(7)，从本体(2)的第一侧面通过第一栅极并且在第一栅极两侧上执行凹陷离子注入(20)，注入导致与在远离第一栅极(6A)的沟道区的截面中的第一栅极两侧上的硅相比、第一栅极下面的硅性质的变化，并且通过使用硅性质变化的选择性刻蚀在本体(2)的第二表面上设置了腔体(30)。将第二栅极电介质(6B、8)沉积在的腔体中。在离子注入前，将掩模(M1)按一定距离形成于在栅电极的两侧上，在离子注入之后在掩模(M1)位置处获得硅性质的变化。

基本信息

专利标题：

半导体器件制造方法及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101095237A

申请号：

CN200580045283.0

公开（公告）日：

2007-12-26

申请日：

2005-12-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

尤瑞·V·诺乌里夫约西尼·J·G·P·卢

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200580045283.0

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L21/336