半导体器件、制造电极的方法以及制造半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、制造电极的方法以及制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1989630A
申请号 ：
CN200680000332.3
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
斋藤真司布上真也冈俊行
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN200680000332.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/042 H01L21/285 H01L29/45
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法律状态
2018-03-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20170221
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20170221
2009-02-04 ：
授权
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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