半导体器件和半导体器件的制造方法

专利权的终止

摘要

一种半导体器件，包括具备周围被元件隔离绝缘膜围了起来的有源区的半导体衬底和设置在上述有源区上边的非易失性存储单元，上述非易失性存储单元，包括设置在上述有源区上边的隧道绝缘膜、设置在上述隧道绝缘膜上边的浮置栅极电极、设置在上述浮置栅极电极上边的控制栅极电极以及设置在上述浮置栅极电极与上述控制栅极电极之间的电极间绝缘膜，在上述非易失性存储单元的沟道宽度方向的剖面上，上述有源区的上表面的上述沟道宽度方向的尺寸，比上述隧道绝缘膜的下表面的上述沟道宽度方向的尺寸更短，而且，与上述有源区相对的部分的上述隧道绝缘膜的面积，比与上述浮置栅极电极的上表面相对的部分的上述电极间绝缘膜的面积小。

基本信息

专利标题：

半导体器件和半导体器件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812107A

申请号：

CN200510135638.7

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-12-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

水岛一郎小泽良夫

申请人：

株式会社东芝

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

李峥

优先权：

CN200510135638.7

主分类号：

H01L27/115

IPC分类号：

H01L27/115 H01L29/788 H01L21/8247 H01L21/336 H01L21/00