本发明提供一种具有闪存单元且能够提高成品率的半导体器件及其制造方法。该半导体器件的制造方法包括：使用具有遮光图案102的曝光用掩模105对光致抗蚀剂进行曝光的工序，所述遮光图案102具有二个以上的宽度狭窄部104；对光致抗蚀剂进行显影，形成多个带状的抗蚀图案68的工序；将抗蚀图案68用作掩模，选择性地对第一导电膜67进行蚀刻的工序；在第一导电膜67上形成中间绝缘膜69的工序；在中间绝缘膜69上形成第二导电膜74的工序；对第一导电膜67、中间绝缘膜69以及第二导电膜74进行图案成形，从而形成闪存单元FL，并形成结构体98的工序，所述结构体98由依次形成下部导体图案、中间绝缘膜的切片以及虚设栅电极而成。