半导体器件制造方法
公开
摘要
本公开涉及半导体器件制造方法。一种方法包括：执行原子层沉积(ALD)工艺以在晶圆上形成电介质层。所述ALD工艺包括ALD循环，所述ALD循环包括：以脉冲方式输送calypso((SiCl3)2CH2)；清扫所述calypso；以脉冲方式输送氨；以及清扫所述氨。所述方法还包括对所述电介质层执行湿法退火工艺；以及对所述电介质层执行干法退火工艺。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597171A
申请号 ：
CN202110842269.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林文凯张哲豪徐志安卢永诚陈思颖
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张敏
优先权 ：
CN202110842269.4
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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