制造半导体器件的方法和半导体器件
授权
摘要
在制造半导体器件的方法中，在层间介电层中形成开口，从而使得源极/漏极区域暴露在开口中。形成第一半导体层以完全覆盖开口内的暴露的源极/漏极区域。实施加热工艺以使第一半导体层的上表面基本变平。在第一半导体层上方形成导电接触层。本发明的实施例还涉及半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体器件的方法和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110416158A
申请号 ：
CN201811381333.8
公开（公告）日 ：
2019-11-05
申请日 ：
2018-11-20
授权号 ：
CN110416158B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
布兰丁·迪里耶戈本·多恩伯斯马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔马丁·克里斯多夫·霍兰德
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201811381333.8
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/336 H01L27/088 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-11-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20181120
申请日 : 20181120
2019-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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