半导体器件和用于制造半导体器件的方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种半导体器件，其包括半导体衬底；在该半导体衬底上形成的第一栅极绝缘膜；在该半导体器件上形成的第二栅极绝缘膜；在该第一栅极绝缘膜上形成并完全硅化的第一栅电极；和在第二栅电极上形成并完全硅化的第二栅电极，第二栅极绝缘膜的栅极长度和栅极宽度大于第一栅电极的长度和宽度，且第二栅极绝缘膜的厚度小于第二栅电极的厚度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和用于制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819200A
申请号 ：
CN200610006642.8
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木下敦宽土屋义规古贺淳二
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200610006642.8
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2021-12-03 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/088
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东芝存储器株式会社
变更后 : 铠侠股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 东芝存储器株式会社
变更后 : 铠侠股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
2021-12-03 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/088
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更后 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更后 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
2021-12-03 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/088
登记生效日 : 20211122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东芝存储器株式会社
变更后权利人 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20211122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 东芝存储器株式会社
变更后权利人 : 日商潘杰亚股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
2017-08-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101757479151
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利号 : ZL2006100066428
登记生效日 : 20170801
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京
号牌文件序号 : 101757479151
IPC(主分类) : H01L 27/088
专利号 : ZL2006100066428
登记生效日 : 20170801
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社东芝
变更后权利人 : 东芝存储器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京
2008-12-31 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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