半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种半导体器件，包括：P沟道MIS晶体管，包括N型半导体层、在N型半导体层上形成的并含有金属的碳化合物的第一栅绝缘层；和N沟道MIS晶体管，包括P型半导体层、在P型半导体层上形成的第二栅绝缘层以及在第二栅绝缘层上形成的第二栅电极。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828902A
申请号 ：
CN200610059731.9
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小山正人西山彰土屋义规市原玲华
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200610059731.9
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L29/78 H01L21/8238 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2015-04-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101607919897
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2006100597319
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20110713
终止日期 : 20140303
号牌文件序号 : 101607919897
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2006100597319
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20110713
终止日期 : 20140303
2011-07-13 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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