半导体器件及该半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的课题是提供一种具有元件分离区域的半导体器件，该元件分离区域用于控制P型MOS晶体管或N型MOS晶体管的有源区域的变形，使其成为规定状态。本发明的半导体器件的特征在于，具有形成有MOS晶体管的有源区域、以包围有源区域周围的方式形成的槽，而且，使有源区域产生拉伸变形的第一材料以及产生压缩变形的第二材料的组合被填埋在所述槽内，从而能够解决上述问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及该半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101341591A
申请号 ：
CN200580052349.9
公开（公告）日 ：
2009-01-07
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木贵志小泽清
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张龙哺
优先权 ：
CN200580052349.9
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/76 H01L27/08 H01L27/092 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2019-12-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20130102
终止日期 : 20181219
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20130102
终止日期 : 20181219
2013-01-02 ：
授权
2009-02-25 ：
实质审查的生效
2009-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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