半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定位置的器件区域；以及隔离该器件区域的浅槽隔离区域。该浅槽隔离区域包括：沟槽；设置在沟槽侧壁的上部的氮化膜衬层；设置在沟槽侧壁的下部的热氧化膜。该浅槽隔离如下设置：将浅槽隔离区域第二部分的宽度设置为比浅槽隔离区域的第一部分的宽度宽，该第二部分设置有该热氧化膜，该第一部分设置有该氮化膜衬层的下端。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1877839A

申请号：

CN200610054758.9

公开（公告）日：

2006-12-13

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

奥野昌树岸井贞浩森冈博寺原政德佐藤成生铃木腕

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

优先权：

CN200610054758.9

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L21/762 H01L21/8238

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/08

只包括有一种半导体组件的

H01L27/085

只包含场效应的组件

H01L27/088

有绝缘栅场效应晶体管的组件

H01L27/092

互补MIS场效应晶体管

法律状态

2021-02-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20110713
终止日期 : 20200310

2011-07-13 ：

授权

2008-12-10 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107

2007-02-14 ：

实质审查的生效

2006-12-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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