半导体器件的制造方法以及半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明的半导体器件的制造方法包含：准备具有隔着第1绝缘膜在支持衬底上形成的半导体层的SOI衬底的工序；在SOI衬底上形成多个SOI晶体管的工序；将多个SOI晶体管遍及多层地适当地布线的工序；通过多个层的布线中的最上层布线实现支持衬底和SOI晶体管的电连接的工序。根据本发明可以减少由WP工序所造成的晶体管特性改变或栅氧化膜的劣化。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862790A
申请号 ：
CN200610008645.5
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木城耕一
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200610008645.5
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/768 H01L21/28 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2018-03-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20170220
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20170220
2013-12-25 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683453738
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100086455
变更事项 : 专利权人
变更前 : 拉碧斯半导体株式会社
变更后 : 拉碧斯半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本横滨
号牌文件序号 : 101683453738
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100086455
变更事项 : 专利权人
变更前 : 拉碧斯半导体株式会社
变更后 : 拉碧斯半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本横滨
2013-12-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 冲电气工业株式会社
变更后权利人 : OKI半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20131210
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683453736
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100086455
变更前权利人 : 冲电气工业株式会社
变更后权利人 : OKI半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20131210
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683453736
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100086455
2013-12-25 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683453737
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100086455
变更事项 : 专利权人
变更前 : OKI半导体株式会社
变更后 : 拉碧斯半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
号牌文件序号 : 101683453737
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2006100086455
变更事项 : 专利权人
变更前 : OKI半导体株式会社
变更后 : 拉碧斯半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
2009-07-29 ：
授权
2008-07-09 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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