半导体器件的制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种制作至少包括一个支承体(1)和一个单晶半导体基体(6、7)的半导体器件的方法，其中的这两个基体至少是制备在减小体积抛光(镜面抛光)方法得到的平整光滑表面上的，随后在光滑表面上制备一个电隔离层(4)，至少对半导体基体上的电隔离层进行赋能键合操作，两个基体(1；6，7)被清洗后，在无尘环境中相互接触，以获得坚固的机械接合面，然后至少在350℃进行热处理，再把半导体基体(6、7)腐蚀成一个具有介于0.05～100μm之间的预定值的薄层(7)。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86105660A
申请号 ：
CN86105660.4
公开（公告）日 ：
1987-02-25
申请日 ：
1986-06-17
授权号 ：
CN1004669B
授权日 ：
1989-06-28
发明人 ：
简·海斯马西奥多勒斯·马蒂纳斯·米切尔森简·艾伯塔斯·帕尔斯
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬格陵纽沃德路1号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN86105660.4
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/76 H01L27/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2002-02-06 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1998-12-16 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1990-03-28 ：
授权
1989-06-28 ：
审定
1987-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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