半导体器件的制造方法及半导体器件
专利权的终止
摘要

一种半导体器件的制造方法,其中当制造具有内置光接收单元的半导体器件时,用于分隔光接收单元的分隔区域受到保护而免于例如由蚀刻引起的破坏。抗反射涂层不仅形成于分隔的光电二极管区域中的光接收区域上,而且形成于分隔的区域上,其中该分隔的区域包括在光接收区域外的用于分隔光电二极管的分隔区域和阴极之间的结区域。形成多晶硅膜以覆盖抗反射涂层。从而,利用多晶硅膜可以保护光接收区域外的分隔区域与阴极之间的结区域上的抗反射涂层免于例如蚀刻。因而,抑制了该区域中晶体缺陷的发生、杂质浓度的改变等。从而,可制造出高性能高品质的具有内置光电二极管的半导体器件。

基本信息
专利标题 :
半导体器件的制造方法及半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1925136A
申请号 :
CN200610005470.2
公开(公告)日 :
2007-03-07
申请日 :
2006-01-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
浅野佑次加藤盛央
申请人 :
富士通株式会社
申请人地址 :
日本神奈川县川崎市
代理机构 :
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 :
王玉双
优先权 :
CN200610005470.2
主分类号 :
H01L21/82
IPC分类号 :
H01L21/82  H01L27/14  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2018-03-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/82
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20110706
终止日期 : 20170117
2011-07-06 :
授权
2008-12-10 :
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县川崎市
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107
2007-05-02 :
实质审查的生效
2007-03-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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