本发明的课题在于良好地管理光致抗蚀剂工序，提高半导体器件的制造效率。本发明的半导体测量装置的特征在于，包括：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤；利用形成有工艺评价用的规定图案的掩模，对每个曝光区采用不同的曝光条件曝光所述光致抗蚀剂膜的步骤；在规定条件下使所述光致抗蚀剂膜显影，从而在所述半导体衬底上形成光致抗蚀剂结构体的步骤；向形成有所述光致抗蚀剂结构体的所述半导体衬底的表面照射电子束的步骤；对随着所述电子束的照射而产生于所述半导体衬底的衬底电流进行测量的步骤；和根据所述衬底电流的波形计算工艺窗口的步骤。