半导体器件及其制造方法
授权
摘要
本发明的一个目的是提供一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件具有挠性和抗物理变化(诸如弯曲)的特性。本发明的半导体器件包括设置在挠性衬底上的多个晶体管、设在所述多个晶体管之间的弯曲部分，以及被设置成用于覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，每个所述晶体管都具有半导体膜、以与所述半导体膜之间具有栅绝缘膜的方式设置在所述半导体膜上的栅电极，其中所述弯曲部分是通过用具有比层间绝缘膜更低弹性模数的材料、比层间绝缘膜更低玻璃转化点的材料或者比层间绝缘膜更高可塑性的材料填充形成在层间绝缘膜中的开口而提供的。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832179A
申请号 ：
CN200610051420.8
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小山润大力浩二冈崎奖守屋芳隆山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200610051420.8
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/84
法律状态
2009-12-23 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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