半导体器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，可在源极/漏极区之下的应变硅层之中形成绝缘层，以基本上解决半导体器件中通道减小所产生的问题。一种用于制造半导体器件的方法，可包括：在第一硅层上生长锗层；在锗层中形成至少两条沟道；在包括沟道的锗层中形成绝缘层；通过抛光锗层和绝缘层直至在沟道的底部处共面来形成至少两个栅极绝缘层图样；重新生长和平坦化锗层；在锗层上形成第二硅层；在至少两个绝缘层之间的第二硅层上形成栅极绝缘层和栅电极；以及通过向在栅电极的侧面处的第二硅层中注入杂质离子来形成源极/漏极区。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1822393A

申请号：

CN200510135990.0

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2005-12-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

丁明镇

申请人：

东部亚南半导体株式会社

申请人地址：

韩国首尔

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚

优先权：

CN200510135990.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L27/092 H01L21/336 H01L21/8238