半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底(11)上形成元件分离用沟槽(14)；在半导体衬底的整个面上，中间隔着绝缘薄膜(12、72)形成具有不能完全填埋所述沟槽的厚度的第一多晶硅膜(15a、35a)；以杂质不穿透衬底表面的能量，向所述第一多晶硅膜的规定部位注入杂质；在所述第一多晶硅膜上形成第二多晶硅膜(15b、35b)，所述第二多晶硅膜(15b、35b)具有确保晶体管的工作所需膜厚的厚度；将所述第一及第二多晶硅膜加工成规定形状，并同时形成沟槽电容器用单元板电极(16、46)和晶体管的栅电极(17、47、49n、49p)。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101326632A
申请号 ：
CN200580052286.7
公开（公告）日 ：
2008-12-17
申请日 ：
2005-12-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
浅野正义铃木嘉之伊藤哲也和田一
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张龙哺
优先权 ：
CN200580052286.7
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/8234 H01L21/8238 H01L27/06 H01L27/092 H01L27/10 H01L27/108
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2015-02-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101597013039
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005800522867
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20120215
终止日期 : 20131212
号牌文件序号 : 101597013039
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005800522867
申请日 : 20051212
授权公告日 : 20120215
终止日期 : 20131212
2012-02-15 ：
授权
2009-02-11 ：
实质审查的生效
2008-12-31 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081114
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081114
2008-12-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101326632B.PDF
PDF下载
2、
CN101326632A.PDF
PDF下载
