半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个有源层，在垂直于衬底的第一方向上堆叠并且在与第一方向相交的第二方向上横向取向；多个位线，每个位线耦接到每个有源层的一侧并且在与第一方向和第二方向相交的方向上横向取向；多个电容器，每个电容器耦接到每个有源层的另一侧；以及字线，垂直取向在第一方向上穿过有源层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373760A
申请号 ：
CN202110684537.4
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-06-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金承焕
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
许伟群
优先权 ：
CN202110684537.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/22 H01L27/24 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210621
申请日 : 20210621
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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