半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
在本发明的半导体器件中，把由绝缘部分隔开的集成电路外围部分限定为虚拟单元区，其中心部分限定为有源单元区。在有源单元区形成DRAM、SRAM、EEPROM、掩模ROM等存储单元。在集成电路区设置多个由隔离区限定的单元形成区，其内设置具有场效应管的各有源单元和有一不起半导体元件作用的元件的虚拟单元。该元件至少包括栅极和至少从与场效应半导体元件相同的结构中除去一个PN结。全部虚拟单元均可无PN结。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1096135A
申请号 ：
CN94102229.3
公开（公告）日 ：
1994-12-07
申请日 ：
1994-03-03
授权号 ：
CN1034840C
授权日 ：
1997-05-07
发明人 ：
平濑顺司桥本伸
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN94102229.3
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/11 H01L27/10 H01L21/82 G11C11/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2012-05-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101243509970
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL941022293
申请日 : 19940303
授权公告日 : 19970507
终止日期 : 20110303
号牌文件序号 : 101243509970
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL941022293
申请日 : 19940303
授权公告日 : 19970507
终止日期 : 20110303
1997-05-07 ：
授权
1996-05-22 ：
实质审查请求的生效
1994-12-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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