半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
公开
摘要
本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114572928A
申请号 ：
CN202111430582.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·杜奇L·巴尔多P·菲拉里B·维格纳F·F·维拉L·M·卡斯托尔迪I·格尔米
申请人 ：
意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
黄海鸣
优先权 ：
CN202111430582.3
主分类号 ：
B81B7/00
IPC分类号 ：
B81B7/00 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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