本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该方法可有效地防止在通孔形成之后由于蚀变层的形成和生长而导致的通路电阻增加，从而提供了可靠性提升的半导体器件。该方法包括：在半导体衬底上形成TiN膜；在TiN膜表面上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜表面上形成抗蚀剂膜；蚀刻其上形成有抗蚀剂膜的半导体衬底以形成开口，由此部分地曝露TiN膜；对TiN膜的曝露部分进行等离子体处理，以去除形成在TiN膜的曝露部分中的蚀变层；以及通过高温等离子体处理剥离抗蚀剂膜。