用于制造半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一栅线；在衬底和第一栅线上形成绝缘层；选择性地蚀刻在第一栅线之间设置的绝缘层，以由此形成多个第一开口；形成埋置于第一开口中的多个接合塞；蚀刻在第一栅线上设置的绝缘层，直到第一栅线的上部被暴露，由此获得多个第二开口；以及在第二开口内形成多个第二栅线。
基本信息
专利标题 ：
用于制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841698A
申请号 ：
CN200510097442.3
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐大永
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097442.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599304410
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005100974423
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20131228
号牌文件序号 : 101599304410
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2005100974423
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20131228
2008-10-15 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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