用于制造半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
提供一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成硬掩模层；在所述硬掩模层上形成光致抗蚀剂图案；在所述光致抗蚀剂图案上形成聚合物以增加所述光致抗蚀剂图案的厚度；通过使用厚度增加的所述光致抗蚀剂图案将所述硬掩模层图案化；以及通过将具有厚度增加的所述光致抗蚀剂图案和所述硬掩模层用作蚀刻掩模选择性地去除所述绝缘层以形成接触孔。
基本信息
专利标题 ：
用于制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892992A
申请号 ：
CN200610058624.4
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南基元
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨生平
优先权 ：
CN200610058624.4
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2014-04-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581596007
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2006100586244
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20130302
号牌文件序号 : 101581596007
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2006100586244
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20130302
2009-04-08 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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